MENU
  1. トップ
  2. S2群　ナノ・量子・バイオ
  3. S2群1編　デバイスの微細化限界とその物理

S2群1編　デバイスの微細化限界とその物理

編主任 平本俊郎（東大）
編幹事 遠藤和彦（産総研）
全体概要

1章 半導体のスケーリング

2章 半導体ロードマップ
石内秀美（東芝）

概要

2-1 半導体ロードマップの歴史

2-2 ITRS 2013年版の概要

2-3 ITRS 2.0に向けて

3章 微細デバイスの諸問題

概要

3-1 短チャネル効果
小林正治（東大）

3-2 特性ばらつき
松川　貴（産総研）

3-3 ノイズ
渡邉孝信（早大）

3-4 信頼性
竹内　潔（東大）

4章 微細化限界を打破する新デバイス

概要

4-1 マルチゲートMOSFET
鈴木英一（JST）

4-2 ナノワイヤMOSFET
齋藤真澄（東芝）

4-3 III-V/Ge MOSFET
手塚　勉（東芝）

4-4 トンネルFET
森田行則（産総研）

<関連情報>